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Hermetisch dichte Rahmen hergestellt im SLID-Bondverfahren mittels Kupfer und Zinn.
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Hermetically sealed frames fabricated by SLID bonding using copper and tin.
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www.enas.fraunhofer.deDie VSI ® basiert auf dem Dünnen von Bauelementelagen, dem justierten Verbinden und der vertikalen Metallisierung mittels frei positionierbarer W- oder Cu-gefüllter Inter-Chip-Vias ( ICV ).
Mit der ICV-SLID-Technologie zielt eine neue Entwicklung auf das Stapeln selektierter Chips (KGD) auf Waferlevel, wobei sehr dünne Cu/Sn-Solid-Liquid-Interdif... (SLID) Pads zum Bonden von Top-Chips auf Bottom-Wafer dienen.
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www.mikroelektronik.fraunhofer.deVertical system integration ( VSI ® ), developed at IZM, is one technology for realizing 3D-SiPs that is closely linked with the BEoL. VSI ® is based on the thinning of device layers, aligned bonding and vertical metallization using W- or Cu-filled inter-chip vias ( ICV ), which can be positioned as required.
ICV-SLID technology is a new development, based on stacking known good dies (KGD) on wafer-level, whereby extremely thin Cu/Snsolid-liquid-inter diffusion (SLID) pads are used to bond top chips to bottom wafers.
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www.mikroelektronik.fraunhofer.deDarüber hinaus ist mit dieser Packagingtechnologie neben der hermetischen Verkapselung der MEMS auch deren elektrische Kontaktierung realisierbar.
Das SLID-Bonden basiert auf einer kurzzeitigen Flüssigphase eines niedrig schmelzenden Bondpartners und der darauffolgenden isothermen Erstarrung durch Diffusion und Vermischung mit einem zweiten Bondpartner (Solid-Liquid Interdiffusion – SLID).
Für die Umsetzung eines SLID-Bondprozesses stehen die Auswahl geeigneter Materialpaarungen, die präzise Abscheidung der Schichten und Schichtsysteme sowie die richtigen Bondparameter einschließlich Oberflächenvorbehandlungen der Schichten im Mittelpunkt der Untersuchungen.
www.enas.fraunhofer.deThe researchers focus on the deposition of nanolayers of these materials to reduce the melting point and to use nanoscale effects for packaging.
Furthermore hermetical encapsulation of MEMS and electrical conductivity can be reached by using this packaging technology.SLID bonding is realized by a short liquid phase of one low melting metal and the immediate solidification caused by diffusion and intermixing with a second, high melting metal (Solid-Liquid Interdiffusion – SLID).
The investigations are focused on the selection of suitable material combinations, the precise deposition of layers and layer systems as well as the right bonding parameters inclusively surface pretreatment.
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